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1100-1650nm 50um InGaAs APD雪崩光電二極管 單模尾纖

產(chǎn)品概述:

GY-APD-50-PF-S是一種銦鎵砷雪崩光電二極管,專為高性能光通信和光電探測(cè)設(shè)計(jì)。這種APD管子具有50微米的光敏面積,具有2G的帶寬。

關(guān)鍵詞: APD Photodiode
產(chǎn)品型號(hào):GY-APD-50-PF-S
微信頭像
技術(shù)支持:黃工 13427781756 (微信同號(hào),可掃碼
Email: huangqianyuan@glgyzn.com
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產(chǎn)品介紹


1. 概述

GY-APD-50-PF-S是一種銦鎵砷雪崩光電二極管,專為高性能光通信和光電探測(cè)設(shè)計(jì)。這種APD管子具有50微米的光敏面積,具有2G的帶寬。


2. 應(yīng)用

  • 高響應(yīng)度,低回波損耗
  • 低暗電流,小電容
  • 同軸封裝,可靠性高,使用壽命長
  • 符合RoHS要求無鉛
  • 儀器儀表


3. 最大絕對(duì)額定值Tc=25℃)

參數(shù)名稱符號(hào)最小最大單位
工作溫度Top-40+85?C
貯存溫度TSTG-40+85?C
正向電流IF——5mA
反向電流VR——45V


4. 光電性能(Tc=25℃)

特性參數(shù)符號(hào)測(cè)試條件最小典型最大單位
工作波長λ——1100——1650nm
雪崩電壓VBR————4045V
響應(yīng)度RVR=5V, λ=1310nm0.700.80——A/W
暗電流Idφe=0μW——110nA
響應(yīng)時(shí)間Rtλ=1310nm, M=10 Rj=50Ω——0.300.50ns
帶寬BWM=10, Rj=50Ω2.0————GHz
結(jié)電容CM=10,φe=1μW, f=1MHz——0.601.0pF
光回波損耗RLλ=1310nm40————dB


1. 封裝形式和管腳定義

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