1100-1650nm InGaAs APD光電探測器尾纖封裝多模62.5/125

產品概述：

GY-APD-50-PF-M(62.5-125)是一款銦鎵砷雪崩光電二極管(APD)，適用于多種光纖通信和光電探測應用。該器件的光敏區(qū)直徑為50微米，并且采用了50AR的抗反射涂層來最小化光的反射并增加透過率。

關鍵詞： 光電二極管

產品型號：GY-APD-50-PF-M

技術支持：黃工 13427781756 (微信同號，可掃碼）

Email: huangqianyuan@glgyzn.com

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產品介紹

GY-APD-50-PF-M(62.5-125)是一款銦鎵砷雪崩光電二極管(APD)。該器件的光敏區(qū)直徑為50微米，并且采用了50AR的抗反射涂層來最小化光的反射并增加透過率。

參數名稱	符號	最小	最大	單位
工作溫度	Top	-40	+85	?C
貯存溫度	TSTG	-40	+85	?C
正向電流	IF	——	5	mA
反向電流	VR	——	45	V

特性參數	符號	測試條件	最小	典型	最大	單位
工作波長	λ	——	1100	——	1650	nm
雪崩電壓	VBR	——	——	40	45	V
響應度	R	Vr=5V, λ=1310nm	0.70	0.80	——	A/W
暗電流	Id	φe=0μW	——	1	10	nA
結電容	C	M=10,φe=0μW, f=1MHz	——	0.6	1.0	pF
響應時間	RT	λ=1310nm, M=10,Rj=50Ω	——	0.3	0.5	ns
帶寬	BW	M=10, Rj=50Ω	2.0	——	——	GHz