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500um 950-1700nm APD光電探測芯片 TO46封裝裸Die

產(chǎn)品概述：

該款探測芯片類型為APD，光敏直接500um，材料InGaAs，波長950-1700nm，可TO46封裝；適合用于激光雷達，距離測量，弱光探測等場景。

關(guān)鍵詞： 500um APD APD光電探測芯片 APD光電二極管 APD裸片 800-1700nm

產(chǎn)品型號：GY-APD-500-TO46

規(guī)格書： 點擊下載

技術(shù)支持：黃工 13427781756 (微信同號，可掃碼）

Email: huangqianyuan@glgyzn.com

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產(chǎn)品介紹

特性參數(shù) Parameter	符號 Symbol	測試條件 Test Condition	最小 Min.	典型 Typ.	最大 Max.	單位 Unit
Active Area	Φ			500		um
光譜響應范圍 Response Spectrum	λ	——	950 ~ 1700			nm
響應度 Responsivity	Re	λ=1550nm Pin=1 μW, M=1	0.80	0.95	——	A/W
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-3	10.00	——	——	——
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-2	20.00	——	——	——
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-1	30.00	——	——	——
暗電流 Dark Current	Id	VR=VBR-3, Pin=0 μW	——	50.00	100.00	nA
-3dB 截止頻率 -3dB cut-off frequency	BW	M=10 RL=50Ω	0.25	0.45	——	GHz
反向擊穿電壓 Reverse Breakdown Voltage	VBR	IR =10μA, Pin=0μW	40.00	——	60.00	V
電容 Capacitance	C	VR=VBR-3, f=1MHz	——	6.00	8.00	pF
擊穿電壓溫度系數(shù) Temperature coefficient of VBR	γ	R=10μA, Pin=0μW -55℃～+85℃	0.05	0.12	0.15	V/℃