器件為硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外,峰值響應(yīng)波長905nm。
器件為硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外,峰值響應(yīng)波長905nm。
參數(shù)名稱 | 符號 | 最小 | 最大 | 單位 |
---|---|---|---|---|
光敏面直徑 | φ | 0.23 | 0.5 | mm |
工作電壓 | VBR | 0.98VBR | V | |
工作溫度 | TC | -10~85 | ?C | |
貯存溫度 | TSTG | -45~100 | ?C | |
焊接溫度 | —— | 260 | ?C | |
正向電流 | IF | 0.25 | mA | |
耗散功率 | —— | 100 | mW |
特性參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 |
---|---|---|---|---|---|---|
光譜響應(yīng)范圍 | λ | —— | 400~1100 | μm | ||
峰值響應(yīng)波長 | —— | —— | 905 | nm | ||
響應(yīng)度 | Re | λ=905nm,ф=1μW,M=100 | 55 | A/W | ||
響應(yīng)時間 | TS | λ=905nm,RL=50Ω | 0.6 | ns | ||
暗電流 | Id | M=100 | —— | 0.2~2.0 | nA | |
工作電壓溫度系數(shù) | —— | T=-40C~85℃C | 0.9 | |||
總電容 | C | M=100, f=1MHz | 1.0~2.0 | pF | ||
擊穿電壓 | δ | IR=10μA | 80 | —— | 220 | V |