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Si APD 400-1100nm 光電二極管 800μm 1064nm增強
產(chǎn)品概述：GY-SI-APD-800-TO46是一款硅基可見光波段，1064nm增強的雪崩光電二極管， 非常適合用于1064nm光探測。
產(chǎn)品型號：GY-SI-APD-800-TO46
技術(shù)支持：黃工 13427781756 (微信同號，可掃碼）
Email: huangqianyuan@glgyzn.com
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產(chǎn)品介紹
1. 概述
GY-SI-APD-800-TO46是一款硅基可見光波段，1064nm增強的雪崩光電二極管，非常適合用于1064nm光探測。
2. 應(yīng)用
- 激光測距
- 激光告警
- 激光雷達
3. 最大絕對額定值
| 參數(shù)名稱 | 符號 | 最小 | 最大 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| APD 偏置電壓 | VPD | —— | 0.98VBR | V |
| 工作溫度 | TC | -45 | +85 | ?C |
| 貯存溫度 | TSTG | -45 | +100 | ?C |
| 正向電流 | IF | —— | 1 | mA |
4. 光電性能（@ Tc=22±3℃）
| 特性參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 光譜響應(yīng)范圍 | λ | —— | 400 ~ 1100 | nm | ||
| 光敏面直徑 | φ | —— | 800 | μm | ||
| 響應(yīng)度 | Re | λ=1064nm,φe=1μw, M=100 | 30 | 36 | —— | A/W |
| 響應(yīng)時間 | TS | f=1MHz,RL=50Ω,λ=1064nm | —— | 2.0 | —— | ns |
| 暗電流 | Id | M=100 | —— | 5.0 | 12.0 | nA |
| 總電容 | C | M=100, f=1MHz | —— | 2.5 | 4.0 | pF |
| 反向擊穿電壓 | VBR | IR=10μA | 350 | —— | 460 | V |
| 擊穿電壓溫度系數(shù) | δ | Tc=-40℃～85℃ | —— | 2.4 | 3.0 | V/℃ |
5. 典型特性曲線
6. 芯片結(jié)構(gòu)圖及尺寸
| 特性參數(shù) | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 | Notes |
|---|---|---|---|---|---|
| 芯片寬度 | 1550 | 1560 | 1570 | μm | |
| 芯片長度 | 1550 | 1560 | 1570 | μm | |
| 芯片厚度 | 110 | 120 | 130 | μm | |
| N-電極/R | —— | 80 | —— | μm | Au metal |
| P-電極 | —— | μm | Au metal | ||
7. 封裝形式TO46
客戶名錄
- 西北工業(yè)大學(xué)
- 南京大學(xué)
- 東南大學(xué)
- 廈門大學(xué)
- 北京交通大學(xué)
- 廣東工業(yè)大學(xué)
- 廣西大學(xué)
- 南昌航空大學(xué)
- 廣西科技大學(xué)
- 山西大學(xué)光電研究所
- 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
- 清華大學(xué)
- 北京大學(xué)
- 哈爾冰工程大學(xué)
- 徐州醫(yī)科大學(xué)
- 山東大學(xué)
- 中科院半導(dǎo)體研究院
- 北京航空航天大學(xué)
- 南開大學(xué)
- 大連海事大學(xué)
- 重慶大學(xué)
- 大連理工大學(xué)
