結(jié)構(gòu)及原理上的區(qū)別

PD：光電二極管（ Photo Diode），當(dāng)半導(dǎo)體中的PN結(jié)受到光照射，且入射光能量高于光電二極管的帶隙能時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電子和空穴，其中在內(nèi)部電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，電子和空穴按相反方向各自移動(dòng)，形成了光電流。

APD：雪崩光電二極管（Avalanche Photo Diode），APD的光電流和PD的光電流產(chǎn)生機(jī)制相同，通過(guò)給PN結(jié)施加反向電壓，光生載流子碰撞晶格，發(fā)生電離，產(chǎn)生新的電子空穴對(duì)，類似于“雪崩”效應(yīng)（即光電流成倍地激增的現(xiàn)象）。

封裝上的區(qū)別

直接PD或APD裸片我們不方便使用，通常我們會(huì)把裸片做成TO封裝，或者尾纖封裝。以TO46來(lái)舉例說(shuō)，封裝好之后，從外觀上我們是無(wú)法分辨這塊管子是PD還是APD的。因?yàn)橥庥^幾乎一致。

               光電二極管

性能及應(yīng)用場(chǎng)景的區(qū)別

由于PD的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不需要高壓，對(duì)溫度的適應(yīng)性更好。而APD結(jié)構(gòu)相比PD來(lái)說(shuō)要復(fù)雜，需要高壓，溫度影響對(duì)APD的性能影響很大，但APD的雪崩倍增效應(yīng)使得APD具有高的靈敏度，可以探測(cè)微弱的光。因此我們根據(jù)探測(cè)的光的強(qiáng)弱，可以進(jìn)行傾向性的選擇。在日常的應(yīng)用場(chǎng)景中，我們通常都還需要搭配外圍電路以完成我們的探測(cè)需求。（或者直接用光電探測(cè)器的模塊），我們根據(jù)我們的探測(cè)光功率大小，然后根據(jù)帶寬增益要求選擇合適的光電探測(cè)器模塊。比如說(shuō)我們探測(cè)mW級(jí)別，uW級(jí)別的光功率也許PIN型光電探測(cè)器就足以滿足需求，而要探測(cè)nW級(jí)別的光功率，同時(shí)還需要不低的帶寬則需要APD光電探測(cè)器。

如果您的探測(cè)光功率剛好在uW，然后有一款PIN光電探測(cè)器能滿足需求，同時(shí)也有APD的光電探測(cè)器能滿足需求，建議選擇PIN型的光電探測(cè)器，因?yàn)樗Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)溫度適應(yīng)性更好，更能適應(yīng)嚴(yán)苛的工況。

             PIN光電探測(cè)器                     APD光電探測(cè)器

價(jià)格的區(qū)別

通常PIN型（PD）的光電探測(cè)器價(jià)格會(huì)比APD的光電探測(cè)價(jià)格要便宜一些。