InGaAs Φ200μm APD光電二極管

型號：GYAPD200V1，響應(yīng)波長：950-1700nm，InGaAs Φ 200μm APD光電探測器芯片

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應(yīng)用 Applications

• 距離測量
• 空間光傳輸
• 光時(shí)域反射計(jì)
• 低光級探測

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InGaAs_Φ 200μm _APD_Chip.pdf

最大絕對額定值 Absolute Maximum Rating

參數(shù)名稱 Parameter	符號 Symbol	最小 Min.	最大 Max.	單位 Unit
APD 偏置電壓 APD voltage supply	VPD	——	VBR	V
工作溫度 Operating Temperature	TC	-40	+85	?C
貯存溫度 Storage Temperature	TSTG	-55	+125	?C
正向電流 Forward Current	IF	——	5	mA
反向電流 Reverse Current	IR	——	3	mA

光電性能 Electro-Optical Characteristics （@ Tc=22±3℃）

特性參數(shù) Parameter	符號 Symbol	測試條件 Test Condition	最小 Min.	典型 Typ.	最大 Max.	單位 Unit
光譜響應(yīng)范圍 Response Spectrum	λ	——	950 ~ 1700			nm
響應(yīng)度 Responsivity	Re	λ=1550nm Pin=1μW, M=1	0.90	1.00	——	A/W
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1μW, VR=VBR-3	10.00	——	——	——
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1μW, VR=VBR-1	30.00	——	——	——
暗電流 Dark Current	Id	VR=VBR-3, Pin=0μW	——	8.00	50.00	nA
-3dB 截止頻率 -3dB cut-off frequency	BW	M=10 RL=50Ω	0.60	1.25	——	GHz
反向擊穿電壓 Reverse Breakdown Voltage	VBR	IR =10μA, Pin=0μW	35.00	——	50.00	V
電容 Capacitance	C	VR=VBR-3, f=1MHz	——	1.80	2.00	pF
擊穿電壓溫度系數(shù) Temperature coefficient of VBR	γ	R=10μA, Pin=0μW -55℃～+85℃	0.05	0.11	0.15	V/℃

典型特性曲線 Typical Performance Curves

芯片結(jié)構(gòu)圖及尺寸 Outline Diagram & Die Dimensions

TO46封裝圖及寸尺

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