型號:GYAPD1000V1,響應(yīng)波長:950-1700nm,InGaAs Φ1000μm APD光電探測器芯片
參數(shù)名稱 Parameter | 符號 Symbol | 最小 Min. | 最大 Max. | 單位 Unit |
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APD 偏置電壓 APD voltage supply | VPD | —— | VBR | V |
工作溫度 Operating Temperature | TC | -40 | +85 | ?C |
貯存溫度 Storage Temperature | TSTG | -55 | +125 | ?C |
正向電流 Forward Current | IF | —— | 5 | mA |
反向電流 Reverse Current | IR | —— | 3 | mA |
特性參數(shù) Parameter | 符號 Symbol | 測試條件 Test Condition | 最小 Min. | 典型 Typ. | 最大 Max. | 單位 Unit |
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光譜響應(yīng)范圍 Response Spectrum | λ | —— | 950 ~ 1700 | nm | ||
響應(yīng)度 Responsivity | Re | λ=1550nm Pin=1 μW, M=1 | 0.70 | —— | —— | A/W |
倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-3 | 10.00 | —— | —— | —— |
倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-2 | 20.00 | —— | —— | —— |
倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-1 | 30.00 | —— | —— | —— |
暗電流 Dark Current | Id | VR=VBR-3, Pin=0μW | —— | 80.00 | 150.00 | nA |
-3dB 截止頻率 -3dB cut-off frequency | BW | M=10 RL=50Ω | 0.09 | 0.25 | —— | GHz |
反向擊穿電壓 Reverse Breakdown Voltage | VBR | IR =10μA, Pin=0μW | 40.00 | —— | 60.00 | V |
電容 Capacitance | C | VR=VBR-3, f=1MHz | —— | 20.00 | 30.00 | pF |
擊穿電壓溫度系數(shù) Temperature coefficient of VBR | γ | R=10μA, Pin=0μW -55℃~+85℃ | 0.12 | 0.15 | 0.18 | V/℃ |