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硅雪崩光電探測器

該模塊采用材料硅的雪崩光電二極管進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,所以對波長范圍為400-1100nm的光極其靈敏,模塊采用空間光耦合,能夠探測到低至nW級功率的弱光,同時還擁有200M的帶寬。該模塊也跟國外進(jìn)口對應(yīng)型號的模塊對比,參數(shù)性能幾乎一致,常被用于各種nW級的弱光信號探測場景,也被用在一些激光雷達(dá),分析儀器上。

型    號:APD430A-200M

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規(guī)格參數(shù)

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mw, dbm功率計(jì)算器 溫馨提示:如果您需求的參數(shù)不在下表中,請?zhí)砑游⑿?,然后把需求參?shù)反饋給我們,我們支持參數(shù)定制。

屬性 APD430A-200M APD430C-200M
材料 Si InGaAs
光譜范圍 400-1100nm 800-1700nm
輸入接口 自由空間光(FC選配) 自由空間光(FC選配)
光敏面直徑 230um 200um
響應(yīng)度 55A/W @ 905nm (M = 100) 18A/W @ 1550nm (M = 20)
帶寬 DC-200MHz DC-200MHz
上升時間 1.8ns 1.8ns
最大增益@HiZ 1.2x10^6V/W 4x10^5V/W
綜合噪聲 7nW(RMS) 21nW(RMS)
飽和功率 2.5uW 7.5uW
噪聲電壓@50歐負(fù)載 <12mVpp <12mVpp
最大輸出電壓@HiZ 3.0V 3.0V
工作電壓 5VDC ±10% 5VDC ±10%
工作電流 <200mA <200mA
輸出接頭 SMA SMA
輸出阻抗 50Ω 50Ω
輸出耦合方式 DC DC
工作溫度 -20~60℃ -20~60℃
存儲溫度 -40~85℃ -40~85℃
外形尺寸 60mm x 50mm x 32mm(長x寬x厚) 60mm x 50mm x 32mm(長x寬x厚)


響應(yīng)曲線

硅雪崩光電探測器響應(yīng)曲線圖


外形尺寸

硅雪崩光電探測器外形尺寸圖


聯(lián)系電話 13427781756