該模塊采用材料硅的雪崩光電二極管進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,所以對波長范圍為400-1100nm的光極其靈敏,模塊采用空間光耦合,能夠探測到低至nW級功率的弱光,同時還擁有200M的帶寬。該模塊也跟國外進(jìn)口對應(yīng)型號的模塊對比,參數(shù)性能幾乎一致,常被用于各種nW級的弱光信號探測場景,也被用在一些激光雷達(dá),分析儀器上。
型 號:APD430A-200M
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屬性 | APD430A-200M | APD430C-200M |
---|---|---|
材料 | Si | InGaAs |
光譜范圍 | 400-1100nm | 800-1700nm |
輸入接口 | 自由空間光(FC選配) | 自由空間光(FC選配) |
光敏面直徑 | 230um | 200um |
響應(yīng)度 | 55A/W @ 905nm (M = 100) | 18A/W @ 1550nm (M = 20) |
帶寬 | DC-200MHz | DC-200MHz |
上升時間 | 1.8ns | 1.8ns |
最大增益@HiZ | 1.2x10^6V/W | 4x10^5V/W |
綜合噪聲 | 7nW(RMS) | 21nW(RMS) |
飽和功率 | 2.5uW | 7.5uW |
噪聲電壓@50歐負(fù)載 | <12mVpp | <12mVpp |
最大輸出電壓@HiZ | 3.0V | 3.0V |
工作電壓 | 5VDC ±10% | 5VDC ±10% |
工作電流 | <200mA | <200mA |
輸出接頭 | SMA | SMA |
輸出阻抗 | 50Ω | 50Ω |
輸出耦合方式 | DC | DC |
工作溫度 | -20~60℃ | -20~60℃ |
存儲溫度 | -40~85℃ | -40~85℃ |
外形尺寸 | 60mm x 50mm x 32mm(長x寬x厚) | 60mm x 50mm x 32mm(長x寬x厚) |